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2012年8月29日 (水)

書籍『[第3版]半導体材料・デバイスの評価』のご紹介!

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◆本日ご紹介書籍◆

    『[第3版]半導体材料・デバイスの評価』

     http://www.tic-co.com/books/2012s771.html

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私の住んでいるところからそう遠くないところにぶどう園があります。

地元では「神宮寺のぶどう」と言えば「神宮寺ぶどう」という名前のデラウェアがかなり有名なのですが、
実は私今まで一度も食べたことがなかったのです。

もうぶどうの季節、夏も終わりに近づいているところではありますが、先々週の週末、
ひょんなことからこの神宮寺のぶどうの直売所に行く機会があり、そこで「シャインマスカット」なるものと
出会ってしまいました。

さすがに「神宮寺ぶどう」は、季節が終わってしまっていたようで直売所には無かったのですが、粒の大きい
数種類のぶどうが並んでいました。

「種なしで皮も薄くて、皮ごと食べられるわよ~」と直売所の方が勧めてくれたのがこの「シャインマスカット」。

これはズボラな私にもってこいだということで、迷うことなく「シャインマスカット」を購入。

一房2,000円也。

「結構いいお値段するなぁ…。」とお会計の時は思いましたが、家に帰って食べた後、思い直しました。

「これは2,000円するね。いや2,000円だったら逆に良心的だね。」

そう。「うまい!うますぎる!」のです!

一粒一粒が大きくて食べごたえも抜群!皮もホントに薄くて、しかも張りがあり、
噛むと「パリッ」って言うんですよ~!そして直後に芳醇な香りと甘~いお味が口の中に広がるんです!

あまりに美味しかったので、先週末もまた買いに行っちゃいました。

おかげで懐はさみし~くなりましたが、おなかと心はとっても満たされましたよ。

季節限定ですからね。こんな贅沢もたまには自分へのご褒美としてアリじゃないでしょうか。

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さて本日も書籍のご紹介!

    『[第3版]半導体材料・デバイスの評価』

                                 です!

★全世界で賞賛されているSemiconductor Material and Device Characterization(第3版)を完全翻訳!
★半導体材料および半導体デバイスの測定に必要な評価テクニックに関する唯一の教科書!
★半導体材料・デバイスの研究開発にかかわる試験、解析、評価の手法を詳細に解説!
★半導体材料・デバイス分野に従事する専門家はもちろん、大学院生にもお薦めの1冊!

●主な目次

第3版への序文

1 抵抗率
1.2 2点プローブ法と4点プローブ法
1.3 ウェハマッピング
1.4 抵抗率のプロファイル
1.5 非接触法
1.6 伝導性の型
1.7 強みと弱み
補遺1.1 抵抗率のドーピング密度依存性
補遺1.2 真性キャリア密度

2 キャリア密度とドーピング密度
2.1 序論
2.2 容量―電圧法(C-V)
2.3 電流―電圧特性(I-V)
2.4 測定誤差と対策
2.5 ホール効果
2.6 光学的方法
2.7 二次イオン質量分析法
2.8 ラザフォード後方散乱法
2.9 横方向のプロファイル
2.10 強みと弱み
補遺2.1 並列接続か直列接続か
補遺2.2 回路の変換
文献
おさらい

3 接触抵抗とショットキー障壁
3.1 序論
3.2 金属―半導体コンタクト
3.3 接触抵抗
3.4 測定テクニック
3.5 ショットキー障壁の高さ
3.6 方法の比較
3.7 強みと弱み
補遺3.1 寄生抵抗の効果
補遺3.2 半導体とのコンタクト合金
文献
おさらい

4 直列抵抗、チャネルの長さと幅、しきい値電圧
4.1 序論
4.2 pn接合ダイオード
4.3 ショットキー障壁ダイオード
4.4 太陽電池
4.5 バイポーラ接合トランジスタ
4.6 MOSFET
4.7 MESFETとMODFET
4.8 しきい値電圧
4.9 擬似MOSFET
4.10 強みと弱み
補遺4.1 ショットキー・ダイオードの電流―電圧の式
文献
おさらい

5 欠陥の密度と準位
5.1 序論
5.2 生成―再結合の統計
5.3 容量測定
5.4 電流の測定
5.5 電荷の測定
5.6 深い準位の過渡スペクトル分析
5.7 熱誘起容量法および熱誘起電流法
5.8 陽電子消滅スペクトル分析法
5.9 強みと弱み
補遺5.1 活性化エネルギーと捕獲断面積
補遺5.2 時定数の抽出
補遺5.3 SiとGaAsのデータ
文献
おさらい

6 酸化膜および界面にトラップされた電荷、酸化膜の厚さ
6.1 序論
6.2 固定電荷、酸化膜中のトラップ電荷、酸化膜中の可動電荷
6.3 界面にトラップされた電荷
6.4 酸化膜の厚さ
6.5 強みと弱み
補遺6.1 容量測定のテクニック
補遺6.2 チャックの容量とリーク電流の影響
文献
おさらい

7 キャリアの寿命
7.1 序論
7.2 再結合寿命と表面再結合速度
7.3 生成寿命と表面生成速度
7.4 再結合寿命:光学的測定
7.5 再結合寿命:電気的測定
7.6 生成寿命:電気的測定
7.7 強みと弱み
補遺7.1 光励起
補遺7.2 電気的励起
文献
おさらい

8 移動度
8.1 序論
8.2 伝導率移動度
8.3 ホール効果と移動度
8.4 磁気抵抗移動度
8.5 飛行時間によるドリフト移動度
8.6 MOSFETの移動度
8.7 移動度の非接触測定
8.8 強みと弱み
補遺8.1 半導体バルクの移動度
補遺8.2 半導体表面の移動度
補遺8.3 チャネル周波数応答の効果
補遺8.4 界面トラップ電荷の効果
文献
おさらい
 
9 電荷のプローブ測定
9.1 序論
9.2 背景
9.3 表面への電荷の着電
9.4 ケルビン・プローブ
9.5 応用
9.6 走査プローブ顕微鏡法
9.7 強みと弱み
文献
おさらい

10 光学的評価法
10.1 序論
10.2 光学顕微鏡
10.3 エリプソメトリ
10.4 透過法
10.5 反射法
10.6 光散乱法
10.7 変調分光法
10.8 線幅
10.9 フォトルミネセンス
10.10 ラマン分光法
10.11 強みと弱み
補遺10.1 透過の式
補遺10.2 興味ある半導体の吸収係数と屈折率
文献
おさらい

11 化学的および物理的な評価方法
11.1 序論
11.2 電子線による方法
11.3 イオンビームによる手法
11.4 X線とガンマ線による方法
11.5 強みと弱み
補遺11.1 いくつかの分析手法の特筆すべき特徴
文献
おさらい

12 信頼性と故障解析
12.1 序論
12.2 故障時間と加速係数
12.3 分布関数
12.4 信頼性項目
12.5 故障解析評価技術
12.6 強みと弱み
補遺12.1 ゲート電流
文献
おさらい

詳しくはこちらから↓↓

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    『[第3版]半導体材料・デバイスの評価』

     http://www.tic-co.com/books/2012s771.html

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水曜担当工藤でした。

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